脱炭素を支えるSiCパワー半導体の利用拡大を規格が後押し

ウェハ欠陥試験法の国際標準化によりSiC製品の普及を促進 ポイント ・ SiCウェハ欠陥の国際的に統一された品質評価基準がなく、品質ばらつきや信頼性確保が課題 ・ 従来試験技術で検出困難な欠陥に対応したX線トポグラフ法の…